Descripción
La memoria Samsung M425R2GA3BB0-CWM es una memoria RAM de 16 GB con tecnología SO-DIMM DDR5-5600. Tiene un valor de latencia CL de 46 y funciona con un voltaje de 1.1. Esta memoria no cuenta con un disipador de calor.
El formato de la memoria es SO-DIMM y tiene un total de 260 pines. Utiliza la tecnología DDR5 y tiene una frecuencia de bus de 5600.
La marca de esta memoria es Samsung y pertenece a la línea Value. Viene en una capacidad de 16 GB, con una sola tarjeta DIMM.
Esta memoria no es completamente bufferizada y no cuenta con corrección de errores (ECC). Su nombre y número de parte es M425R2GA3BB0-CWM.
Es compatible con notebooks y es una opción ideal para mejorar el rendimiento y la capacidad de tu computadora portátil.
Características:
latencia_cl_valor: 46
valor_tensión: 1.1
nombre_disipador_calor: No posee
cantidad_pines_bus: 260
nombre_tipo_bus: DDR5
nombre_formato_bus: SO-DIMM
frecuencia_bus: 5600
nombre_marca_línea: Samsung
nombre_línea:
cantidad_módulos_dimm: 1
capacidad_total: 16384
capacidad_módulo_dimm: 16384
es_totalmente_bufferizado: false
es_ecc: false
nombre: M425R2GA3BB0-CWM
número_parte: M425R2GA3BB0-CWM
segmento: Value
etiquetas: ["Notebook"]
bucket_predeterminado: 1863140