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Memoria RAM 4GB DDR4 2400MHz SO-DIMM CL17 Non-ECC 1.2v 260p - Hynix
Precio:
IVA Incluido
Disponible, más de 20 unidades
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Especificaciones
Capacidad RAM
4 GB
Frecuencia
2400 Mhz
Tipo de memoria
DDR4
Descripción
La memoria RAM Hynix HMA851S6AFR6N-UH de 4 GB DDR4 es un módulo SO-DIMM diseñado para notebooks y otros equipos compatibles que utilizan memoria DDR4 de formato compacto. Es una opción práctica para ampliar o reemplazar la memoria instalada y ayudar a que el sistema gestione con mayor fluidez las tareas cotidianas, como navegar, trabajar con documentos y utilizar aplicaciones de uso general.
Este módulo cuenta con una velocidad de 2400 MHz y una latencia CAS CL17, con tiempos especificados CL17-17-17. Su capacidad de 4 GB corresponde a un único módulo, por lo que puede instalarse como ampliación individual o combinarse con otros módulos compatibles, según las características y límites de la notebook o del equipo.
El formato SO-DIMM de 260 pines está pensado para computadoras portátiles y sistemas compactos; no corresponde al formato DIMM de escritorio. Antes de comprar, conviene verificar que el equipo admita memoria DDR4 SO-DIMM de 260 pines y que sea compatible con módulos de 4 GB y una velocidad de 2400 MHz. La frecuencia efectiva también puede depender de las especificaciones de la placa y del procesador.
La Hynix HMA851S6AFR6N-UH funciona a 1,2 V, una característica propia de DDR4 que contribuye a un funcionamiento de bajo voltaje. Es una memoria Non-ECC, sin corrección de errores, y no es fully buffered. Además, no posee disipador térmico, por lo que conserva el diseño compacto habitual de los módulos SO-DIMM para notebook.
Fabricada por Hynix, esta RAM DDR4 de 4 GB ofrece una alternativa para actualizar equipos compatibles con una pieza identificable por su número de parte HMA851S6AFR6N-UH. Su combinación de capacidad, velocidad DDR4-2400, latencia CL17, voltaje de 1,2 V y conexión SO-DIMM de 260 pines facilita la identificación de compatibilidad al momento de elegir memoria para una notebook.
Características:
- Capacidad: 4 GB
- Tipo de memoria: DDR4
- Velocidad: 2400 MHz
- Factor de forma: SO-DIMM
- Latencia CAS: CL17
- Latencias: CL17-17-17
- Voltaje: 1,2 V
- Corrección de errores ECC: No
- Memoria registrada: No
- Número de pines: 260
- Cantidad de módulos: 1
- Compatibilidad indicada: Notebook
- Marca: Hynix
- Número de parte: HMA851S6AFR6N-UH
- Disipador térmico: No posee
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