La Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL22 Non-ECC de la reconocida marca Hynix es la solución perfecta para quienes buscan mejorar el rendimiento de su equipo portátil. Con un diseño compacto y eficiente, este módulo de memoria está diseñado específicamente para notebooks, ofreciendo una capacidad de 8 GB que permite ejecutar múltiples aplicaciones y tareas de manera fluida.

Con una frecuencia de 3200 MHz, esta memoria RAM proporciona una velocidad excepcional que optimiza el rendimiento general del sistema. Su esquema de tiempo de CL22 asegura una respuesta rápida y eficiente, ideal para usuarios que requieren un rendimiento constante en sus actividades diarias, ya sea para trabajo, estudio o entretenimiento.

La Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN cuenta con un voltaje de 1.2 V, lo que la convierte en una opción energéticamente eficiente, contribuyendo a la duración de la batería de tu dispositivo. Además, su formato SO-DIMM y su cuenta de pines de 260 la hacen compatible con una amplia gama de laptops, asegurando una instalación sencilla y rápida.

Este módulo de memoria no es ECC (Error-Correcting Code), lo que significa que está diseñado para un uso general y no para aplicaciones críticas que requieren corrección de errores. Sin embargo, su rendimiento y fiabilidad son ideales para la mayoría de los usuarios que buscan una mejora en la capacidad de su equipo sin complicaciones.

En resumen, la Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL22 Non-ECC de Hynix es una opción excelente para quienes desean potenciar su laptop. Con su combinación de velocidad, eficiencia y capacidad, este módulo de memoria es una inversión inteligente para cualquier usuario que busque un rendimiento superior en su dispositivo portátil.

• Marca: Hynix
• Modelo: HMAA1GS6CJR6N-XN
• Capacidad: 8 GB
• Tipo de memoria: SO-DIMM DDR4
• Frecuencia de memoria: 3200 MHz
• Esquema de tiempo de memoria: CL22
• Tensión de alimentación: 1.2 V
• ECC: No
• Formato: SO-DIMM
• Pines: 260
• Segmento: Value
• Etiquetas: Notebook