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Imagen 0 de Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL18 Non-ECC 1.2v 260p - Samsung

Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL18 Non-ECC 1.2v 260p - Samsung

SAMSUNG

SKU: M471A1G44CB0-CWE

SemiNuevo
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Stock:

Agotado

Cantidad:

Especificaciones

Capacidad RAM

8 GB

Frecuencia

3200 Mhz

Tipo de memoria

DDR4

Descripción

La Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL18 Non-ECC de Samsung es la solución perfecta para aquellos que buscan mejorar el rendimiento de sus computadoras portátiles. Con un diseño compacto y eficiente, este módulo de memoria está diseñado específicamente para satisfacer las necesidades de los usuarios que requieren velocidad y capacidad en sus dispositivos.
Con una capacidad de 8 GB, este módulo de memoria SO-DIMM es ideal para tareas cotidianas, así como para aplicaciones más exigentes. Su velocidad de 3200 MHz garantiza un rendimiento fluido y rápido, permitiendo que tu computadora portátil maneje múltiples tareas sin esfuerzo. La latencia CAS de CL18 asegura tiempos de respuesta rápidos, lo que se traduce en una experiencia de usuario más ágil y eficiente.
Este módulo de memoria, identificado como M471A1G44CB0-CWE, no solo es compatible con una amplia gama de portátiles y sistemas All-in-One, sino que también se destaca por su bajo consumo de energía, operando a un voltaje de 1.2 V. Esto no solo ayuda a prolongar la vida útil de la batería de tu dispositivo, sino que también contribuye a un funcionamiento más fresco y silencioso.
La memoria DDR4 es conocida por su capacidad de ofrecer un rendimiento superior en comparación con las generaciones anteriores, y este módulo no es la excepción. Con un total de 260 pines, está diseñado para encajar perfectamente en los slots de memoria de los portátiles modernos, asegurando una instalación sencilla y rápida.
Además, al ser un módulo Non-ECC, es ideal para usuarios que no requieren la corrección de errores, lo que lo convierte en una opción más económica y accesible para aquellos que buscan mejorar su sistema sin complicaciones adicionales.
En resumen, la Memoria RAM 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM CL18 Non-ECC de Samsung es una excelente opción para quienes desean optimizar el rendimiento de su computadora portátil. Con su combinación de velocidad, capacidad y eficiencia energética, este módulo de memoria es una inversión inteligente para cualquier usuario que busque mejorar su experiencia informática.


Características:

 
  • Marca: Samsung
 
  • Modelo: M471A1G44CB0-CWE
 
  • Capacidad: 8GB
 
  • Tipo de memoria: DDR4
 
  • Velocidad: 3200 MHz
 
  • Módulo: SO-DIMM
 
  • Latencia CAS: CL18
 
  • Soporte ECC: No
 
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
 
  • Número de pines: 260 Pines
 
  • Compatibilidad: Portátiles, AIO
 
  • Organización de los chips: 1Rx16
 

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