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Imagen 0 de Memoria RAM 4GB DDR4 3200MHz SO-DIMM Non-ECC CL20 1.2V 260p - Samsung

Memoria RAM 4GB DDR4 3200MHz SO-DIMM Non-ECC CL20 1.2V 260p - Samsung

SAMSUNG

SKU: M471A5244CB0-CWE

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Cantidad:

Especificaciones

Capacidad RAM

4 GB

Frecuencia

3200 Mhz

Tipo de memoria

DDR4

Descripción

La memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CWE es una opción ideal para quienes buscan mejorar el rendimiento de su computadora portátil. Con una capacidad de 4GB, este módulo de memoria está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente y rápido, gracias a su tecnología DDR4 y una velocidad de 3200 MHz.

Este módulo de memoria SO-DIMM cuenta con un diseño compacto de 260 pines, lo que lo hace perfecto para laptops y dispositivos portátiles. Su latencia CAS de CL20 asegura tiempos de respuesta rápidos, lo que se traduce en una experiencia de usuario más fluida, ya sea para tareas cotidianas o aplicaciones más exigentes.

La Samsung M471A5244CB0-CWE no es un módulo con soporte ECC, lo que significa que está diseñado para un uso general y no para aplicaciones críticas que requieren corrección de errores. Esto la convierte en una opción más accesible y adecuada para usuarios que buscan un equilibrio entre rendimiento y costo.

Con un voltaje de operación de 1.2V, esta memoria RAM es eficiente en términos de consumo energético, lo que contribuye a una mayor duración de la batería en dispositivos portátiles. Además, su configuración de 1Rx16 (rango único) permite una integración sencilla en la mayoría de las laptops compatibles.

En resumen, la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CWE es una excelente elección para quienes desean actualizar su sistema y disfrutar de un rendimiento mejorado. Su combinación de capacidad, velocidad y eficiencia la convierte en una opción destacada en el mercado de componentes para computadoras portátiles.



Características:

  • Marca: Samsung
  • Modelo: M471A5244CB0-CWE
  • Capacidad: 4GB
  • Tipo de memoria: DDR4
  • Velocidad: 3200 MHz
  • Módulo: SO-DIMM
  • Latencia CAS: CL20
  • Soporte ECC: No
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • Número de pines: 260 Pines
  • Compatibilidad: Portátil
  • Tipo de memoria con búfer: Sin Búfer
  • Otros: 1Rx16 (rango único)
  • Frecuencia del bus: 3200
  • Formato del bus: SO-DIMM
  • Tipo de bus: DDR4
  • Cantidad de módulos: 1
  • Capacidad total: 4096
  • Capacidad del módulo: 4096
  • Nombre de la marca: Samsung
  • Nombre del producto: M471A5244CB0-CWE
  • ¿Es totalmente búfer: No
  • ¿Es ECC: No
  • Tensión: 1.2
  • Nombre del disipador de calor: No posee
  • Número de parte: M471A5244CB0-CWE
  • Segmento: Value
  • Etiquetas: ["Notebook"]
  • Bucket por defecto: 1657340

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